IRF1404ZSTRLPBF

IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.

Інші пропозиції IRF1404ZSTRLPBF за ціною від 56.74 грн до 165.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+79.2 грн
1600+ 64.71 грн
2400+ 61.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+89.44 грн
250+ 80.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+125.79 грн
112+ 105.31 грн
117+ 100.44 грн
200+ 95.91 грн
500+ 80.79 грн
1000+ 73.05 грн
2000+ 71.38 грн
3200+ 69.04 грн
Мінімальне замовлення: 94
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.47 грн
10+ 113.25 грн
100+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.81 грн
10+ 124.57 грн
100+ 85.87 грн
800+ 60.97 грн
2400+ 57.46 грн
4800+ 56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+165.23 грн
10+ 122.26 грн
50+ 109.66 грн
100+ 89.44 грн
250+ 80.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній