IRF1405STRRPBF

IRF1405STRRPBF Infineon Technologies


infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1405STRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF1405STRRPBF за ціною від 100.21 грн до 100.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+100.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1405S_DataSheet_v01_01_EN-1732387.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
товар відсутній