IRF1405ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 78.21 грн |
| 10+ | 77.87 грн |
| 25+ | 77.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1405ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm.
Інші пропозиції IRF1405ZPBF за ціною від 60.87 грн до 207.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 150A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC |
на замовлення 998 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 150A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF1405ZPBF |
IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 952 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF1405ZPBF |
IRF1405ZPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF1405ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF1405ZPBF Код товару: 35347 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170 Монтаж: THT |
товар відсутній
|