Технічний опис IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V.
Інші пропозиції IRF150DM115XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IRF150DM115XTMA1 |
товар відсутній |
||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IRF150DM115XTMA1 |
товар відсутній |
||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товар відсутній |
||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |