Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8788PBF
IRF8788PBF

IRF8788PBF

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
Код товару: 32111
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8788PBF IR

  • MOSFET, N-CH, 30V, SO8
  • Transistor Polarity:N
  • On State Resistance:2.3mohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SO
  • Case Style:SO-8
  • Cont Current Id:24A
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • Min Voltage Vgs th:1.35V
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF8788PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8788PBF IRF8788PBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF8788PBF IRF8788PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
товар відсутній
IRF8788PBF IRF8788PBF Виробник : Infineon (IRF) irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF8736TRPBF
Код товару: 25137		 irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 320 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12.2 грн
IRL5602S
Код товару: 26008		 irl5602s.pdf
IRL5602S
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 56 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
BZV55-C5V1
Код товару: 4297		 BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 700 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.5 грн
100+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
15pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N150J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3918		 NPO.pdf
15pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N150J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 15 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
очікується: 8000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.5 грн
100+ 0.35 грн
1000+ 0.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
BC860B
Код товару: 2362		 BC859,BC860.pdf
BC860B
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 5090 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 4