Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3307ZPBF
IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF

irfs3307zpbf-datasheet.pdf
Код товару: 37782
Виробник: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності 146 шт:
79 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+58 грн
10+ 53.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3307ZPBF за ціною від 46.34 грн до 163.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.87 грн
10+ 73.03 грн
100+ 68.57 грн
250+ 64.25 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 49.74 грн
2000+ 47.63 грн
5000+ 46.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+83.47 грн
150+ 78.29 грн
159+ 73.5 грн
250+ 68.87 грн
500+ 58.76 грн
1000+ 53.32 грн
2000+ 51.06 грн
5000+ 49.98 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+98.27 грн
10+ 90.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+102.13 грн
129+ 91.04 грн
134+ 87.54 грн
200+ 84.22 грн
500+ 72.69 грн
1000+ 66.78 грн
2000+ 65.7 грн
4000+ 65.12 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.91 грн
4+ 103.08 грн
10+ 93.26 грн
12+ 71.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+152.09 грн
10+ 127.97 грн
100+ 109.75 грн
250+ 99.13 грн
500+ 77.03 грн
1000+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+156.21 грн
78+ 150.25 грн
100+ 145.16 грн
250+ 135.73 грн
500+ 122.26 грн
1000+ 114.5 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.49 грн
3+ 128.45 грн
10+ 111.92 грн
12+ 85.83 грн
32+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.36 грн
10+ 135.48 грн
100+ 98.28 грн
250+ 96.26 грн
500+ 82.13 грн
1000+ 70.01 грн
2000+ 69.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+163.79 грн
85+ 137.81 грн
100+ 118.19 грн
250+ 106.76 грн
500+ 82.96 грн
1000+ 71.19 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.84 грн
50+ 126.68 грн
100+ 104.24 грн
500+ 82.77 грн
1000+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+163.87 грн
10+ 112.52 грн
100+ 90.62 грн
500+ 74.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)

З цим товаром купують

IRFB3077PBF
Код товару: 104275		 description irfb3077pbf-datasheet.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 195 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
10+ 78 грн
IRFB7434PBF
Код товару: 171783		 Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf
IRFB7434PBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
у наявності: 274 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+68.5 грн
10+ 61.4 грн
100+ 54.9 грн
STP14NK50ZFP
Код товару: 2275		 description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+75 грн
10+ 68 грн
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годинник) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 18649		 ESG_080319.pdf
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годинник) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 2012 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.3 грн
1000+ 5.5 грн
IRF3205PBF
Код товару: 25094		 irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13220 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн