Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR4105PBF
IRFR4105PBF

IRFR4105PBF

irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
Код товару: 2752
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/34
Монтаж: SMD
у наявності 33 шт:
8 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4105PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:0.045ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:46W
  • Power Dissipation Pd:46W
  • Pulse Current Idm:100A
  • SMD Marking:IRFR5104
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR4105PBF за ціною від 13.56 грн до 97.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.58 грн
4000+ 24.34 грн
10000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+26.48 грн
4000+ 26.22 грн
10000+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.02 грн
6000+ 27.53 грн
10000+ 26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
327+35.85 грн
358+ 32.75 грн
500+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 327
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+35.88 грн
18+ 33.29 грн
100+ 30.41 грн
500+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+42.21 грн
282+ 41.5 грн
287+ 40.88 грн
291+ 38.82 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 33.45 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.77 грн
15+ 39.2 грн
25+ 38.54 грн
100+ 36.61 грн
250+ 33.38 грн
500+ 31.55 грн
1000+ 31.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
242+48.47 грн
243+ 48.27 грн
245+ 47.88 грн
Мінімальне замовлення: 242
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 68W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.76 грн
500+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN-3363260.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.97 грн
10+ 57.42 грн
100+ 40.23 грн
500+ 34.68 грн
1000+ 29.26 грн
2000+ 27.41 грн
4000+ 26.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 11570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.88 грн
10+ 57.18 грн
100+ 44.47 грн
500+ 35.37 грн
1000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.4 грн
10+ 74.84 грн
100+ 54.76 грн
500+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR4105PBF IRFR4105PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN-1732693.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.1 грн
10+ 86.59 грн
100+ 58.26 грн
500+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr4105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR4105PBF IRFR4105PBF Виробник : Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRFR5305PBF
Код товару: 2560		 irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 500 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.7 грн
IRLR3410PBF
Код товару: 105980		 description irlr3410-datasheet.pdf
IRLR3410PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 69 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
10+ 24.3 грн
LL4148
Код товару: 2413		 FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 72732 шт
Кількість Ціна без ПДВ
5+1 грн
10+ 0.5 грн
100+ 0.4 грн
1000+ 0.3 грн
10000+ 0.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
4,7 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-4R7-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2171		 RC_series.pdf
4,7 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-4R7-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,7 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 20208 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.12 грн
1000+ 0.09 грн
10000+ 0.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2,2nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B222K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1791		 X7R_X5R.pdf
2,2nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B222K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1196 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10