IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 146.08 грн |
| 5+ | 145.16 грн |
| 10+ | 144.17 грн |
| 25+ | 138.13 грн |
| 50+ | 127.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns, Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off), Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 51 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IRG4BC30FD-SPBF за ціною від 136.94 грн до 156.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4BC30FD-SPBF - IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 31 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRG4BC30FD-SPBF | Виробник : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT |
товар відсутній |