IRG4BC30KD-SPBF

IRG4BC30KD-SPBF Infineon Technologies


infineon-irg4bc30kd-s-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG4BC30KD-SPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns, Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 67 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IRG4BC30KD-SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KD-SPBF Виробник : Infineon Technologies irg4bc30kd-spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563fcdc8227b Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KD-SPBF Виробник : Infineon / IR Infineon-IRG4BC30KD-S-DataSheet-v01_00-EN-1732843.pdf IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
товар відсутній