на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.32 грн |
| 10+ | 261.91 грн |
| 100+ | 185.8 грн |
| 500+ | 169.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BC40W-LPBF Infineon / IR
Description: IGBT 600V 40A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-262, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.
Інші пропозиції IRG4BC40W-LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC40W-LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRG4BC40W-LPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4BC40W-LPBF - IGBT, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s) MSL: MSL 2 - 1 Jahr Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.36 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
|
 |
IRG4BC40W-LPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IRG4BC40W-LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 40A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W |
товар відсутній |
|
| IRG4BC40WLPBF | Виробник : Vishay | IGBT Transistors |
товар відсутній |
||
|
|
IRG4BC40W-LPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |