IRG4BH20K-L Infineon
Виробник: InfineonTrans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 533.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BH20K-L Infineon
Description: IGBT 1200V 11A 60W TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-262, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns, Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції IRG4BH20K-L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BH20K-L | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 11A 60W TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W |
товар відсутній |