IRG4BH20K-SPBF
Виробник: IRG4BH20K-SPBF Транзисторы
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4BH20K-SPBF
Description: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns, Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції IRG4BH20K-SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BH20K-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRG4BH20K-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W |
товар відсутній |
|
 |
IRG4BH20K-SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT |
товар відсутній |