IRG4PH50UDPBF China
Код товару: 200630
Виробник: ChinaКорпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,78 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110
у наявності 40 шт:
40 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 220 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG4PH50UDPBF China
- IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:45A
- Max Voltage Vce Sat:3.7V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247AC
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:260ns
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:180A
- Rise Time:24ns
Можливі заміни IRG4PH50UDPBF China
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4PH50UDPBF Код товару: 44154 |
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110 |
у наявності: 4 шт
|
|
Інші пропозиції IRG4PH50UDPBF за ціною від 330 грн до 330 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4PH50UDPBF Код товару: 44154 |
Виробник : IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110 |
у наявності: 4 шт
|
|
|||||
IRG4PH50UDPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
||||||
IRG4PH50UDPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 45A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 47ns/110ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 800V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
||||||
IRG4PH50UDPBF | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT |
товар відсутній |