IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 99.75 грн |
1600+ | 81.5 грн |
2400+ | 77.43 грн |
5600+ | 69.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL40S212ARMA1 за ціною від 72.77 грн до 193.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL40S212ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V |
на замовлення 24551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL40S212ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRL40S212ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRL40S212ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |