IRL40SC209 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL40SC209 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 478A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm.
Інші пропозиції IRL40SC209 за ціною від 112.92 грн до 305.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL40SC209 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 478A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V |
на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 478A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL40SC209 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |