IRS2005SPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRS2005SPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.62 грн |
| 10+ | 79.19 грн |
| 50+ | 68.88 грн |
| 100+ | 54.38 грн |
| 250+ | 45.85 грн |
| 500+ | 41.43 грн |
| 1000+ | 32.72 грн |
| 2500+ | 29.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2005SPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRS2005SPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 160ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції IRS2005SPBF за ціною від 39.82 грн до 101 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2005SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers 200V high & low-side 0.6A,VCC & VBS UVLO |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRS2005SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRS2005SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRS2005SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRS2005SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 625mW Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Output current: -600...290mA Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRS2005SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRS2005SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 625mW Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Output current: -600...290mA Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
товар відсутній |