Технічний опис IS61DDB22M18C-250M3L ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 36Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx18bit, Case: LFBGA165, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 1.8V, кількість в упаковці: 105 шт.
Інші пропозиції IS61DDB22M18C-250M3L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS61DDB22M18C-250M3L | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 2Mx18bit Case: LFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 1.8V кількість в упаковці: 105 шт |
товар відсутній |
||
IS61DDB22M18C-250M3L | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA |
товар відсутній |
||
IS61DDB22M18C-250M3L | Виробник : ISSI | SRAM 36Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS |
товар відсутній |
||
IS61DDB22M18C-250M3L | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 2Mx18bit Case: LFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 1.8V |
товар відсутній |