Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC015N04NM5ATMA1
ISC015N04NM5ATMA1

ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001 Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ISC015N04NM5ATMA1 за ціною від 46.53 грн до 124.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001 Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.27 грн
10+ 92.77 грн
100+ 73.86 грн
500+ 58.66 грн
1000+ 49.77 грн
2000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC015N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825677.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.62 грн
10+ 102.11 грн
100+ 70.77 грн
250+ 68.76 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 48.07 грн
5000+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC015N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc015n04nm5-datasheet-v02_01-en.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній