Продукція > INFINEON > ISC022N10NM6ATMA1
ISC022N10NM6ATMA1

ISC022N10NM6ATMA1 INFINEON


3624254.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+210.45 грн
500+ 180.81 грн
1000+ 134.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC022N10NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 254W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

Інші пропозиції ISC022N10NM6ATMA1 за ціною від 134.81 грн до 309.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC022N10NM6_DataSheet_v02_01_EN-3363648.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.54 грн
10+ 255.66 грн
100+ 192.27 грн
500+ 173.58 грн
1000+ 140.2 грн
5000+ 139.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 3624254.pdf Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+305.56 грн
10+ 236.66 грн
100+ 210.45 грн
500+ 180.81 грн
1000+ 134.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91 Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+309.09 грн
10+ 249.73 грн
100+ 202.02 грн
500+ 168.52 грн
1000+ 144.29 грн
2000+ 135.87 грн
ISC022N10NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc022n10nm6-datasheet-v02_01-en.pdf SP005339558
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+149.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISC022N10NM6ATMA1 ISC022N10NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC022N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babad55375f91 Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V
товар відсутній