Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC028N04NM5ATMA1
ISC028N04NM5ATMA1

ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-isc028n04nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC028N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ISC028N04NM5ATMA1 за ціною від 36.7 грн до 118.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.22 грн
10+ 77.33 грн
100+ 60.15 грн
500+ 47.85 грн
1000+ 38.98 грн
2000+ 36.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN-1825714.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.39 грн
10+ 102.11 грн
100+ 69.43 грн
500+ 58.28 грн
1000+ 45.13 грн
2500+ 42.99 грн
5000+ 40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC028N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e46db8000a Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товар відсутній