Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC045N03L5SATMA1
ISC045N03L5SATMA1

ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC045N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c2360e098e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ISC045N03L5SATMA1 за ціною від 8.88 грн до 41.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC045N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c2360e098e Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 11108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39 грн
10+ 31.85 грн
100+ 22.14 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 13.19 грн
2000+ 11.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC045N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-3363450.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.98 грн
10+ 33.17 грн
100+ 21.36 грн
500+ 16.76 грн
1000+ 12.15 грн
5000+ 11.48 грн
10000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
ISC045N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc045n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf RZ03-1C4-D024
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISC045N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Infineon-ISC045N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c2360e098e
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)