Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC0805NLSATMA1
ISC0805NLSATMA1

ISC0805NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0805NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ISC0805NLSATMA1 за ціною від 49.93 грн до 153.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89 Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+89.12 грн
500+ 70.24 грн
1000+ 52.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89 Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.66 грн
10+ 100.35 грн
100+ 79.86 грн
500+ 63.42 грн
1000+ 53.81 грн
2000+ 51.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC0805NLS_DataSheet_v02_02_EN-3166765.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.86 грн
10+ 112.86 грн
100+ 78.11 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 56.08 грн
2500+ 53.21 грн
5000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISC0805NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5077b86d89 Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+153.53 грн
10+ 114.59 грн
100+ 89.12 грн
500+ 70.24 грн
1000+ 52.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
ISC0805NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc0805nls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000