Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC0806NLSATMA1
ISC0806NLSATMA1

ISC0806NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0806NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd506b9f6d86 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.55 грн
10+ 134.43 грн
100+ 106.99 грн
500+ 84.96 грн
1000+ 72.09 грн
2000+ 68.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0806NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції ISC0806NLSATMA1 за ціною від 67.06 грн до 207.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC0806NLSATMA1 ISC0806NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC0806NLS_DataSheet_v02_02_EN-2581268.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.96 грн
10+ 180.42 грн
100+ 126.18 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 86.12 грн
2500+ 83.45 грн
5000+ 82.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC0806NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc0806nls-datasheet-v02_02-en.pdf N Channel Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISC0806NLSATMA1 ISC0806NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0806NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd506b9f6d86 Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
товар відсутній