на замовлення 7756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.09 грн |
| 10+ | 46.22 грн |
| 100+ | 27.83 грн |
| 500+ | 23.25 грн |
| 1000+ | 19.79 грн |
| 3000+ | 17.54 грн |
| 9000+ | 15.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Supplier Device Package: PG-SOT223, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Інші пропозиції ISP13DP06NMSATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP13DP06NMSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товар відсутній |
|
|
|
ISP13DP06NMSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товар відсутній |