ISZ080N10NM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 91.37 грн |
| 500+ | 70.93 грн |
| 1000+ | 52.9 грн |
| 2500+ | 50.26 грн |
| 5000+ | 49.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ080N10NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ISZ080N10NM6ATMA1 за ціною від 45.13 грн до 145.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ080N10NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ080N10NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 9578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISZ080N10NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 12269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISZ080N10NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005409469 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
ISZ080N10NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
товар відсутній |