ISZ56DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 28.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ56DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V.
Інші пропозиції ISZ56DP15LMATMA1 за ціною від 25.7 грн до 76.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISZ56DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V |
на замовлення 9989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISZ56DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|