Продукція > IXYS > IXA12IF1200HB
IXA12IF1200HB

IXA12IF1200HB IXYS


IXA12IF1200HB.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Power dissipation: 85W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.89 грн
3+ 234.46 грн
5+ 177.58 грн
13+ 167.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA12IF1200HB IXYS

Description: IGBT 1200V 20A 85W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 85 W.

Інші пропозиції IXA12IF1200HB за ціною від 201.45 грн до 414.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS IXA12IF1200HB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Power dissipation: 85W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 13A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.07 грн
3+ 292.18 грн
5+ 213.1 грн
13+ 201.45 грн
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200hb_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 20A 85W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 85 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.57 грн
30+ 258.58 грн
120+ 221.64 грн
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS ixyss09848_1-2272472.pdf IGBT Transistors XPT IGBT Copack
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.88 грн
10+ 367.6 грн
30+ 301.67 грн
120+ 261.71 грн