IXA12IF1200PB Littelfuse
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 139.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA12IF1200PB Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXA12IF1200PB за ціною від 141.51 грн до 316.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA12IF1200PB | Виробник : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220-3 Power dissipation: 85W Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 13A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Gate charge: 27nC |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXA12IF1200PB | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220-3 Power dissipation: 85W Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 13A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Gate charge: 27nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXA12IF1200PB | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXA12IF1200PB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXA12IF1200PB | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 85 W |
товар відсутній |