IXA20PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 752.27 грн |
2+ | 585.47 грн |
4+ | 553.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Electrical mounting: SMT, Type of module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB за ціною від 664.27 грн до 902.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Case: SMPD-B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : IXYS | IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 32A 130000mW 9-Pin SMPD-X T/R |
товар відсутній |