Продукція > IXYS > IXA30PG1200DHGLB

IXA30PG1200DHGLB IXYS

Name: IXA30PG1200DHGLB
Brand: IXYS
SKU: 320949-8
Price: 699.23 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 150W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1000.29 грн
2+	739.47 грн
3+	699.23 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXA30PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 150W, Electrical mounting: SMT, Type of module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA30PG1200DHGLB за ціною від 839.08 грн до 1200.35 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IXA30PG1200DHGLB

Виробник : IXYS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 150W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 13 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)