Продукція > IXYS > IXA4IF1200TC
IXA4IF1200TC

IXA4IF1200TC IXYS


IXA4IF1200TC.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO268
Power dissipation: 45W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 12nC
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA4IF1200TC IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Case: TO268, Power dissipation: 45W, Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 5A, Pulsed collector current: 9A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Gate charge: 12nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA4IF1200TC за ціною від 287.18 грн до 432.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC Виробник : IXYS IXA4IF1200TC.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: TO268
Power dissipation: 45W
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.09 грн
3+ 368.25 грн
4+ 303.83 грн
9+ 287.18 грн
IXA4IF1200TC IXA4IF1200TC Виробник : IXYS ixyss09859_1-2272798.pdf IGBT Transistors XPT IGBT Copack
товар відсутній