Продукція > IXYS > IXA55I1200HJ
IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ IXYS


ixyss09861_1-2272604.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 1200V 84A Single IGBT
на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1262.5 грн
10+ 1144.14 грн
30+ 954.29 грн
120+ 840.41 грн
510+ 757.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA55I1200HJ IXYS

Description: IGBT 1200V 84A 290W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 290 W.

Інші пропозиції IXA55I1200HJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXA55I1200HJ Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa55i1200hj_datasheet.pdf.pdf IXA55I1200HJ THT IGBT transistors
товар відсутній
IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa55i1200hj_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 84A 290W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube
товар відсутній
IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa55i1200hj_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 84A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 290 W
товар відсутній