Продукція > IXYS > IXA70I1200NA
IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS


media-3320581.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules XPT Single IGBT
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2428.67 грн
10+ 2126.7 грн
20+ 1836.65 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA70I1200NA IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 65A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 350W, Technology: XPT™, Features of semiconductor devices: high voltage, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA70I1200NA за ціною від 1859.17 грн до 2451.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXA70I1200NA Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa70i1200na_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2451.39 грн
10+ 2177.19 грн
100+ 1859.17 грн
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa70i1200na_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 350000mW
товар відсутній
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS IXA70I1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS IXA70I1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
товар відсутній