Продукція > IXYS > IXBH42N170A
IXBH42N170A

IXBH42N170A IXYS


IXBH(t)42N170A.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1550.27 грн
2+ 1360.96 грн
10+ 1341.48 грн
30+ 1311.58 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH42N170A IXYS

Description: IGBT 1700V 42A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 330 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns, Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 188 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції IXBH42N170A за ціною від 1284.49 грн до 2121.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBH42N170A IXBH42N170A Виробник : IXYS IXBH(t)42N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1860.33 грн
2+ 1695.96 грн
10+ 1609.78 грн
30+ 1573.9 грн
IXBH42N170A IXBH42N170A Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_42n170a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/200ns
Switching Energy: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 265 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1953.49 грн
30+ 1559.18 грн
120+ 1461.74 грн
IXBH42N170A IXBH42N170A Виробник : IXYS media-3319504.pdf IGBT Transistors BIMOSET 42A 1700V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2121.67 грн
10+ 1942.42 грн
30+ 1507.47 грн
60+ 1464.08 грн
120+ 1414 грн
270+ 1343.24 грн
510+ 1284.49 грн