IXBT42N300HV IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Mounting: SMD
Case: TO268HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3218.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT42N300HV IXYS
Description: IGBT 3000V 42A 357W TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns, Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IXBT42N300HV за ціною від 2635.07 грн до 3885.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV Mounting: SMD Case: TO268HV Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector current: 42A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS | IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 42A 357W TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT) Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 104 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 500 W |
товар відсутній |