IXBX75N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Power - Max: 1040 W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4209.57 грн |
| 30+ | 3562.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBX75N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™, Mounting: THT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Power dissipation: 1.04kW, Gate charge: 350nC, Technology: BiMOSFET™; FRED, Features of semiconductor devices: high voltage, Pulsed collector current: 580A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 277ns, Kind of package: tube, Case: PLUS247™, Turn-off time: 840ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBX75N170 за ціною від 4020.36 грн до 5160.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBX75N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 200A |
на замовлення 60 шт: термін постачання 476-485 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXBX75N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 350nC Technology: BiMOSFET™; FRED Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 580A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 277ns Kind of package: tube Case: PLUS247™ Turn-off time: 840ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXBX75N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™ Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 350nC Technology: BiMOSFET™; FRED Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 580A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 277ns Kind of package: tube Case: PLUS247™ Turn-off time: 840ns |
товар відсутній |