на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA26N30X3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263, Reverse recovery time: 105ns, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 26A, On-state resistance: 66mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 170W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 22nC, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: TO263, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFA26N30X3 за ціною від 164.82 грн до 386.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA26N30X3 | Виробник : IXYS |
 MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFA26N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 Reverse recovery time: 105ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 26A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFA26N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFA26N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 Reverse recovery time: 105ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 26A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 |
товар відсутній |