Продукція > IXYS > IXFB70N100X
IXFB70N100X

IXFB70N100X IXYS


Viewer.aspx?p=http%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fDS100944A(IXFB70N100X).pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3507.07 грн
25+ 2830.41 грн
100+ 2641.71 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB70N100X IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 1785W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB70N100X за ціною від 3755.7 грн до 3886.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFB70N100X IXFB70N100X Виробник : IXYS media-3321935.pdf MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3886.1 грн
10+ 3755.7 грн