Продукція > IXYS > IXGB200N60B3
IXGB200N60B3

IXGB200N60B3 IXYS


DS99929A(IXGB200N60B3)-478804.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors GenX3 600V IGBT
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGB200N60B3 IXYS

Description: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS264™, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns, Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 750 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 1250 W.

Інші пропозиції IXGB200N60B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGB200N60B3 IXGB200N60B3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgb200n60b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 1250mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXGB200N60B3 IXGB200N60B3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgb200n60b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 1250 W
товар відсутній