IXGK75N250 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT NPT 2500V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 410 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 780 W
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7612.47 грн |
| 25+ | 6384.55 грн |
| 100+ | 6053.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGK75N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 75A, Power dissipation: 780W, Case: TO264, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 530A, Mounting: THT, Gate charge: 410nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 280ns, Turn-off time: 725ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGK75N250 за ціною від 5885.01 грн до 8159.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGK75N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXGK75N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 75A Power dissipation: 780W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 530A Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXGK75N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 75A Power dissipation: 780W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 530A Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |