IXGN100N170 IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 95A
Power dissipation: 735W
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 95A
Power dissipation: 735W
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3442.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN100N170 IXYS
Description: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 735 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.22 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXGN100N170 за ціною від 2862.06 грн до 4212.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGN100N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 735 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.22 nF @ 25 V |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXGN100N170 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Collector current: 95A Power dissipation: 735W Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXGN100N170 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXGN100N170 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1700V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXGN100N170 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1700V |
товар відсутній |