IXGN200N170 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4706.24 грн |
| 10+ | 4421.65 грн |
| 30+ | 3964.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN200N170 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, Dauer-Kollektorstrom: 280A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 280A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXGN200N170 за ціною від 3340.07 грн до 4796.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGN200N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT NPT-HIVOLTAGE (MINI |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXGN200N170 | Виробник : Littelfuse |
IGBT Module, High Voltage IGBT |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXGN200N170 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Collector current: 160A Power dissipation: 1.25kW Technology: NPT Pulsed collector current: 1.05kA Max. off-state voltage: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXGN200N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A Supplier Device Package: SOT-227B Td (on/off) @ 25°C: 37ns/320ns Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off) Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 540 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1050 A Power - Max: 1250 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXGN200N170 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Collector current: 160A Power dissipation: 1.25kW Technology: NPT Pulsed collector current: 1.05kA Max. off-state voltage: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |