Продукція > IXYS > IXKC20N60C
IXKC20N60C

IXKC20N60C IXYS


media-3322953.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+849.36 грн
10+ 721.88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKC20N60C IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUS220™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS220™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXKC20N60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXKC20N60C IXKC20N60C Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_super_junction_ixkc20n60c_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товар відсутній
IXKC20N60C IXKC20N60C Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc20n60c_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній