.jpg "IXKH35N60C5")
IXKH35N60C5 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 757.35 грн |
| 30+ | 590.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKH35N60C5 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IXKH35N60C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKH35N60C5 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXKH35N60C5 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXKH35N60C5 | Виробник : IXYS |
MOSFET 35 Amps 600V |
товар відсутній |
|
|
|
IXKH35N60C5 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товар відсутній |