Продукція > IXYS > IXKK85N60C
IXKK85N60C

IXKK85N60C IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkk85n60c_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3108.44 грн
25+ 2508.52 грн
100+ 2341.3 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKK85N60C IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 85A TO264A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IXKK85N60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXKK85N60C IXKK85N60C Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_super_junction_ixkk85n60c_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXKK85N60C IXKK85N60C Виробник : IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXKK85N60C IXKK85N60C Виробник : IXYS media-3321200.pdf MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds
товар відсутній
IXKK85N60C IXKK85N60C Виробник : IXYS IXKK85N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товар відсутній