IXKN75N60C IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4469.37 грн |
| 10+ | 3900.37 грн |
| 100+ | 3496.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKN75N60C IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXKN75N60C за ціною від 3880.6 грн до 4900.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 1096-1105 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXKN75N60C Код товару: 116581 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
IXKN75N60C | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |