Продукція > IXYS > IXKP13N60C5
IXKP13N60C5

IXKP13N60C5 IXYS


IXKP13N60C5.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKP13N60C5 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IXKP13N60C5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXKP13N60C5 IXKP13N60C5 Виробник : IXYS ixys_ixkp13n60c5-1547460.pdf MOSFET 13 Amps 600V
товар відсутній