Продукція > IXYS > IXKP35N60C5
IXKP35N60C5

IXKP35N60C5 IXYS


IXKH,IXKP 35N60C5.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKP35N60C5 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IXKP35N60C5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXKP35N60C5 IXKP35N60C5 Виробник : IXYS ixys_ixkh35n60c5.pdf MOSFET 35 Amps 600V
товар відсутній