IXT-1-1N100S1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXT-1-1N100S1 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC, Packaging: Tube, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V.
Інші пропозиції IXT-1-1N100S1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXT-1-1N100S1 | Виробник : IXYS | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds |
товар відсутній |