Продукція > IXYS > IXTA05N100
IXTA05N100

IXTA05N100 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta05n100_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+294.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA05N100 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 0.75A, Power dissipation: 40W, Case: TO263, On-state resistance: 17Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 710ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA05N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA05N100 IXTA05N100 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA05N100 IXTA05N100 Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA05N100 IXTA05N100 Виробник : IXYS media-3320054.pdf MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товар відсутній
IXTA05N100 IXTA05N100 Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товар відсутній